第150章 图形发生器

虽然2000年之后，这个图形发生器的被cAd与自动控制软件代替了，而现在还只能依靠这个部件，把加工程序的数字信号转化为图形。

作为芯片线路图的母版，掩膜的精度要求比显然比光刻更高，属于最先进的纳米技术！

然而老罗并没有看到他的电子束刻印机，就过世了，当然也没有看到国产设备的没落，这也是一种幸运。

李三彪没法治疗癌症，不过打算让老罗活着看见，用全套国产设备也能制造芯片。

李三彪看到老罗正在伏案工作，眉头紧锁。

沈田惠问到：“老罗，咱们的图形发生器是第三代了，应该很有经验了，还有什么问题？”

老罗道：“芯片组提供的设计图，电路复杂程度超出了我的预想，要画出这样复杂的曝光图形，我们的内存还不够。”

光刻、电子束刻印芯片或者掩膜通称曝光，cpU越先进，其上面晶体管越多，设计也就越复杂的芯片，所需形成的曝光图形就越复杂。

而且到了286的时代，芯片结构已经不止一层，李三彪这个286芯片设计为4层。

过去一次曝光叫做单场单层曝光，286的工艺则要求单场多层曝光，在不同位置曝光多个结构，甚至较大的芯片，要多场曝光后进行拼接。

而且不仅仅是用同等剂量的光束进行曝光了。

286的晶体管数目达134，000个，比8086的个多了五倍，曝光图形的复杂度自然也是五倍。

没有cAd的情况下，

输入十三万个晶体管的刻印命令，就要耗去老罗巨大的精力。

而且图形发生器不论cpU还是存储器，都处理不了这个超复杂图形。

这比任天堂游戏机单副画面还要复杂。

李三彪见老罗用的也是6502处理器，想起了先前研究学习机的方法，道：“老罗，我给你个建议，别总想着让cpU同时计算和绘图，我这里有个专用的显示芯片，把它串联在cpU上，就可以大大减轻运算压力。”

老罗顿悟，道：“原来如此，研究显示专用的cpU，我怎么没想到呢！”

李三彪又拿来一个托其他小组研制的512K内存条，

这个内存条用上了后来复杂的印刷线路板技术，能将几十个4K内存颗粒联合使用，这下完美结局了算力问题。

李三彪又道：“其实这个图形，我已经编写了一个cAd1.0软件，并不需要一行行输代码。我帮你做个借口，你只要在平面绘出曝光图以后，可以很容易导入了！也方便进行修改！”

李三彪在电脑上一阵操作，很快根据老罗的设计，写好了一个cAd与图形发生器的接口程序。

然后，将设计组出的芯片图，按照掩膜设计要求，绘制了cAd版的掩膜图。

在cAd上画不同的颜色，代表各种曝光剂量。

当5倍光线强度的过量曝光时，会形成2微米粗的线条，就是微观的导线。

现在晶体管间距以微米计，并不代表光头每次移动也以微米计，

毕竟后来晶体管可是3纳米的间距，要真这样，那么大个的光头岂不是只能按微观世界一个个原子间距的移动了？